Bộ biến đổi inverter quang điện có nhiệm vụ chuyển đổi dòng điện một chiều do tấm pin mặt trời tạo ra thành dòng điện xoay chiều để cung cấp cho lưới điệngame nổ hũ, đây là thành phần chính trong hệ thống phát điện mặt trời. Hiệu suất chuyển đổi của bộ biến đổi inverter trực tiếp ảnh hưởng đến hiệu quả sản xuất điện của toàn bộ hệ thống năng lượng mặt trời. Các linh kiện SiC thuộc loại bán dẫn dải cấm rộng, sở hữu ưu điểm là hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao hơn, phù hợp tốt với yêu cầu cải tiến của bộ biến đổ So với các linh kiện dựa trên silicon truyền thống, SiC mang lại hiệu suất chuyển đổi cao hơn, tổn thất năng lượng thấp hơn, từ đó giúp giảm kích thước hệ thống, tăng mật độ công suất, kéo dài tuổi thọ linh kiện và giảm chi phí sản xuất. Hiện nay, hầu hết các hệ thống năng lượng mặt trời thương mại đều sử dụng cấu trúc hai cấp. Cấp đầu (bộ biến đổi DC/DC) có chức năng tăng áp và điều khiển điểm công suất tối đa, cấp sau (bộ biến đổi DC/AC) thực hiện quá trình biến đổi và kết nối vào lưới điện. Các transistor MOSFET SiC chịu được điện áp cao và diode SiC có dòng điện lớn sẽ phát huy vai trò quan trọng trong hệ thống này.

Hệ thống lưu trữ năng lượng giúp nâng cao hiệu quả vận hành lưới điệngame nổ hũ, giảm thiểu tình trạng nghẽn mạch ở các thời điểm đỉnh, từ đó giảm tổn thất đường dây. Hệ thống lưu trữ cũng giúp giảm nhu cầu xây dựng thêm các nhà máy phát điện để đáp ứng nhu cầu tiêu thụ điện vào giờ cao điểm. Thành phần cốt lõi của hệ thống ESS (Energy Storage System) là hệ thống chuyển đổi công suất DC/DC và DC/AC hai chiều, nó kết nối tất cả các nguồn như lưới điện, tấm pin mặt trời, tuabin gió, xe điện và pin lại với nhau, đồng thời thực hiện chuyển đổi công suất giữa chúng. Công nghệ SiC có thể mang lại giải pháp hoạt động ở điện áp cao, tần số cao và hiệu suất tốt, đây là những yêu cầu thiết yếu cho mọi hệ thống lưu trữ. Các hệ thống lưu trữ dựa trên linh kiện SiC sẽ đóng vai trò quan trọng hơn trong việc tối ưu hóa phân phối điện, ổn định lưới điện, làm mịn nhu cầu điện, và khai thác hiệu quả hơn các nguồn năng lượng tái tạo.

Hiện tạilink w88, khả năng sạc nhanh (từ 5 đến 10 phút là đầy pin) sẽ là mảnh ghép cuối cùng để xe điện hoàn toàn thay thế xe chạy xăng, và SiC sẽ đóng vai trò then chốt trong quá trình này. Ngày càng nhiều hãng xe đang hướng tới nền tảng 800V, điều này buộc phải triển khai các module công suất cao và điện áp lớn trong hệ thống sạc. Các linh kiện silicon truyền thống và IGBT có điện áp chặn thấp, khi kết hợp với nhiều cấp mạch sẽ gây ra thách thức về kích thước và hiệu suất. Bộ chuyển đổi ACDC dựa trên SiC có thể giải quyết tốt các vấn đề này, sử dụng ít linh kiện hơn, chiếm ít diện tích bảng mạch hơn và đạt hiệu suất đỉnh cao hơn. Để triển khai kiến trúc sạc 800V, hiệu suất sạc trực tiếp cũng cần được nâng cao, công suất sạc DC hiện tại dưới 120kW đang dần được cải thiện lên 350kW hoặc thậm chí 480kW. Điều này đòi hỏi phải mở rộng các module sạc hiện tại từ 20kW, 30kW lên 40kW hoặc cao hơn. Nhờ vào đặc tính chịu nhiệt tốt, tần số chuyển mạch cao mà các giải pháp dựa trên SiC mang lại, sẽ hỗ trợ tối ưu hóa thiết kế mạch, lựa chọn linh kiện, thiết kế luồng không khí và bảo vệ nhiệt độ, từ đó đạt được độ tin cậy cao hơn.